當(dāng)前位置：
相關(guān)文章
上一個(gè)：
返回列表
服務(wù)熱線
13716839263
13716839263
13716839263
產(chǎn)品型號(hào)：
更新時(shí)間：2025-06-02
廠商性質(zhì)：代理商
訪問(wèn)量：4608
服務(wù)熱線86-10-68946260
產(chǎn)品分類
大多數(shù)情況下，我們認(rèn)為參比電極（RE）和工作電極（WE）之間施加的電壓就是在工作電極上施加的電壓。如圖一所示。
但是在光電化學(xué)循環(huán)伏安測(cè)試實(shí)際測(cè)試體系情況下，由于電解液存在一定的電阻Ru，Ru是參比電極到工作電極表面電雙層（doublelayer）一邊的溶液電阻。根據(jù)歐姆定律，這個(gè)Ru就會(huì)產(chǎn)生一定壓降，壓降的大小為Vir=I*Ru。這樣就造成工作電極上的實(shí)際電壓和相對(duì)參比電極而施加的電壓有所不同。如圖二所示。 
補(bǔ)償電阻Ru的大小可以通過(guò)直流電流快速遮斷法或者采用EIS方法進(jìn)行測(cè)試。EIS要比直流電流快速折斷法更確定。電流快速折斷方法是早期沒(méi)有AC技術(shù)的時(shí)候出現(xiàn)的。自從有AC技術(shù)之后，EIS成為選擇的測(cè)試技術(shù)。使用EIS技術(shù)時(shí)，測(cè)試1K-100KHz頻率范圍內(nèi)的交流阻抗譜。在高頻區(qū)，相位為零時(shí)的阻值就是要補(bǔ)償?shù)碾娊庖弘娮鑂u，如圖三所示。 
下面使用Zahner的Zennium系列電化學(xué)工作站做一些實(shí)際測(cè)試。測(cè)試時(shí)使用圖四所示的模擬元件電路。 
果和實(shí)際電路*一樣（考慮元件誤差）。Ru=100?，Rp=1995?,電容為993.8nF.如圖五所示。 
當(dāng)進(jìn)行CV和I/E測(cè)試時(shí)，若果需要，點(diǎn)擊溶液補(bǔ)償Ohnicdrop測(cè)試，軟件可以自動(dòng)采用上面描述的交流阻抗的測(cè)試方法快速獲得Ru的值（圖六），然后就可以進(jìn)行溶液阻抗補(bǔ)償?shù)难h(huán)伏安測(cè)試。測(cè)試過(guò)程中電化學(xué)工作站進(jìn)行實(shí)時(shí)電壓補(bǔ)償。補(bǔ)償前后的CV曲線如圖七和圖八所示。自動(dòng)獲取溶液電阻Ru 
圖七，紅色為未補(bǔ)償?shù)牡腃V曲線藍(lán)色為IR補(bǔ)償后的CV曲線通過(guò)計(jì)算，兩者之間的電阻差為100?左右。這個(gè)正是電解液阻值Ru。此時(shí)說(shuō)明IR的實(shí)時(shí)補(bǔ)償效果有效。 
圖八，改變不同的補(bǔ)償電阻值，就會(huì)得到不同的CV曲線。在掃描電壓一樣時(shí)，電流值會(huì)依次增加，用以補(bǔ)償設(shè)置的Ru。 
